人民財訊4月16日電，據(jù)復旦大學消息，復旦大學集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室、芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院周鵬-劉春森團隊通過構(gòu)建準二維泊松模型，在理論上預測了超注入現(xiàn)象，打破了現(xiàn)有存儲速度的理論極限，研制“破曉（PoX）”皮秒閃存器件，其擦寫速度可提升至亞1納秒（400皮秒），相當于每秒可執(zhí)行25億次操作，是迄今為止世界上最快的半導體電荷存儲技術(shù)。相關(guān)成果以《亞納秒超注入閃存》（Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection）為題于北京時間4月16日晚間在《自然》（Nature）期刊上發(fā)表。